大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于nand加内存控制器的问题，于是小编就整理了4个相关介绍nand加内存控制器的解答，让我们一起看看吧。
1、nand控制器读写容量
nand容量=（page大小）*（1block中的page数目）*（1die中的block数目）*（1device中的die数目）一般每个page大概有4k或8k byte；一个block大概有64或者128page；1die大概有4096或8192block，1device大概有2或4die。
在nand flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而nor flash的擦写次数是十万次。
以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M为例，前者为1Gb，512字节页容量，随机读（稳定）时间12μs，写时间为200μs；后者为4Gb，2KB页容量，随机读（稳定）时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20MHz。
有非易失性，读写速度快，而且比较容易做到大容量。目前单片NAND FLASH存储容量可以达到8Gbit（1GByte）。NOR FLASH也有非易失性。随机存储速度比NAND FLASH 快得多。所以一般用NOR FLASH 用做内存片，或者叫做数据缓冲。
2、Nand,iNAND和NOR flash有什么区别?
应用不同 NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。
接口不同 【nand flash】：nand flash使用较为复杂的I/O口来串行地存取数据，并且各个产品或厂商的方法可能各不相同。【nor flash】：nor flash为SRAM接口，拥有足够的地址引脚用于寻址。
性能区别 NAND的写入速度比NOR快很多；NAND的擦除速度远比NOR快；NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更加简单；NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。
NAND flash和NOR flash的性能比较 NOR的读速度比NAND稍快一些。NAND的写入速度比NOR快很多。NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。
区别 接口差别 nor flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。nand flash使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。
3、什么是NAND闪存?
nand是和意思。128MB的RAM才是内存。而16GB的空间相当于电脑的硬盘，用于给用户存储数据用的。NAND是一种闪存，也是用于存储东西的。但是它存储的东西是操作系统、启动程序和文件系统。
NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。
由于闪存颗粒中存储密度存在差异，所以闪存又分为SLC、MLC、TLC和QLC。简单的说，NAND闪存的基本原理，QLC容量大，但性能也变差了。
NAND指的是闪存芯片技术，即所谓“非易失性闪存技术”，U盘、固态硬盘等存储产品采用的闪存颗粒，俗称“NAND颗粒”。有此可见，NAND是硬件层面的概念。
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显；ROM 是 ROM image（只读内存镜像）的简称，常用于手机定制系统玩家的圈子中。
4、DRAM和NAND有什么区别?
工作原理不同、速度和容量不同。工作原理：NAND使用了一种称为浮栅（floatinggate）的技术，通过在电介质中存储电荷来表示数据的逻辑状态，DRAM则使用了电容器和逻辑门的组合，通过在电容器中存储电荷来表示数据的逻辑状态。
速度和延迟：于DRAM，NAND存储器的读取速度慢，并且具有高的访问延迟。而DRAM的读写速度非常快，因此经常用于计算机的主存储器。
DRAM与NAND的区别是：DRAM（DynamicRandomAccessMemory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。
以计算机win 7为例，DRAM与NAND区别如下：DRAM （ Dynamic Random Access Memory ），即动态随机存取存储器。DRAM只能将数据保持很短的时间。
NAND是与非门闪存 NOR是或非门闪存，不是内存哦 他们都有掉电不丢失数据，大容量，低成本的优点~DRAM是动态随机存取内存，内存中的数据会在断电后消失 优点是具有高密度，且成本低。
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