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1、巨磁电阻传感器是如何实现的
如果将图1 中a、b端短接，霍尔电场将不存在，所有电子将向a端偏转，磁阻效应更明显。
磁阻效应（Magnetoresistance Effects）的定义：是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时，由于受到电磁场的变化产生的洛伦兹力作用，产生了磁阻效应。
巨磁电阻（GMR）效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象，一般将其定义为gmr＝其中（h）为在磁场h作用下材料的电阻率（0）指无外磁场作用下材料的电阻率。根据这一效应开发的小型大容量计算机硬盘已得到广泛应用。
巨磁阻（GMR）传感器是将4个GMR结构连接成电桥，再磁屏蔽其中相对的两个使对磁不敏感，当存在外部磁场时，未受屏蔽的两个GMR结构的电阻在磁场作用下发生阻值的改变，在外部恒压源或恒流源的激励下，桥的输出产生变化，从而达到对外部磁场测量的目的。
首先，磁性金属和合金一般都有磁电阻现象，所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象，人们把这种现象称为磁电阻。所谓巨磁阻就是指在一定的磁场下电阻急剧减小，一般减小的幅度比通常磁性金属与合金材料的磁电阻数值约高10余倍。通常说的硬盘也被称为磁盘，这是因为在硬盘中是利用磁介质来存储信息的。
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