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1、霍尔传感器为什么会有磁阻效应?
磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。
磁平衡式电流传感器也称补偿式传感器，即主回路被测电流Ip在聚磁环处所产生的磁场通过一个次级线圈，电流所产生的磁场进行补偿， 从而使霍尔器件处于检测零磁通的工作状态。
在半导体薄膜两端通以控制电流I，并在薄膜的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场强度与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，这个现象叫做霍尔效应。
同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流于在磁场中受到洛伦兹力而产生的。如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。
与霍尔效应的区别如下；即霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应则是沿电流方向的电阻变化。霍耳传感器的工作原理是基于霍耳效应，一般用它可以直接测量霍耳电势差的大小，测出磁场强度，也可用以判别磁感应强度方向。磁阻传感器是利用置于磁场中的合金带自身的阻值发生变化来测量磁场的大小和方向。
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